Halbleiterrelais mit MOSFET-Ausgang und Foto-LED-Eingang
Standardserie G3VM-351A-MOSFET-SSR – Halbleiterrelais.
Das G3VM-351A-Relais ist Teil der aktualisierten G3VM-2-Serie und bietet eine Fülle von Vorteilen. Schließer-Durchsteckrelais mit DIP-Gehäuse (Dual in-Line) mit 4 Leiterplatten-Anschlussklemmen und einer Lastspannung von 350 V.
Merkmale des G3VM-351A/240-Standard-Halbleiterrelais.
• MOSFET-Halbleiterrelais.
• DIP 4 (Dual-in-Line-Gehäuse).
• Durchsteckrelais.
• Leiterplatten-Anschlussklemmen.
• 4 Relais-Anschlussklemmen.
• Lastspannung: 350 V ac.
• Laststrom: 120 (240) mA max.
• Maximaler Widerstand bei Ausgang EIN: 35 Ohm.
• Leckstrom bei Relais offen: 1000 nA max.
• Kapazität zwischen den Klemmen: 30 pF.
Technische Daten
Laststrom max. 0,12 A
Montage Typ Leiterplattenmontage
Lastspannung max. 350 V
Lastspannung min. 0 V
Steuerspannung max. 1,3 V
Schalttyp DC
Steuerspannungsbereich Max. 1,3 V
Laststrom min. 120 mA
Anschluss Typ Leiterplattenstift
Kontaktanordnung 1-poliger Schließer
Ausgangsschaltung MOSFET
Gehäuseform PDIP
Lastspannungsbereich 0 → 350V
Serie G3VM
Abmessungen 4.58 x 6.4 x 3.65mm
Betriebstemperatur max. +85°C
Betriebstemperatur min. -40°C
Betriebstemperaturbereich -40 → +85°C
Länge 4.6mm
Leckstrom im “Aus”-Zustand 50 mA
Tiefe 6.4mm
Höhe 3.7mm